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BM 薄膜的单重态激子寿命τS1为10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 这是由于PC71BM有更多的缺陷位点，延迟了PL淬火。对于第二点，测量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏层中的单重态激子衰减与快速扩散到供体-受体界面有关，而长寿命组分与电荷分离后的电荷复合有关。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更长，这意味着源自陷阱位点的电荷转移状态中的电荷复合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表现出更快的开关响应，这是由于有效的电荷分离和通过重新组合的陷阱密度进行的 ...
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