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新型光自旋应用的二维材料由于相似的六方晶体结构,也可以在二维异质结构中进行逐层工程。这种工程方法可以通过结合相互补充的2D系统来利用。例如,在WSe2/Gr异质结构中,用于谷自旋操纵的大自旋-轨道耦合(WSe2)和用于电子器件的高电导(石墨烯)的配对对谷自旋动力学产生了新的影响。因此,逐层工程提出了一种很有前途的方法来构建具有增强控制和检测自旋现象的二维系统。这就促使人们寻找与传统半导体类似或更新颖的二维类似物,这些材料已经产生了大量的自旋电子研究。几种二维半导体具有适合低维自旋器件的特性,如高电子迁移率和可通过门控调节的载流子密度。例如,基于Gr的器件已经证明了长通道上的自旋输运和自旋进动, ...
烯层之间弱的范德华力允许原子或小分子注入到范德华间隙中。在此种情况下,离子液体中的阳离子/阴离子在偏压下注入层中,结果石墨烯上的电荷密度显著增加并且多层石墨烯的薄膜阻抗在低于2V从11Ω显著降低到高于3.5V的4Ω,此结果和拉曼测试的结果一致。这些结果表明在2V左右有一个阈值的偏压。低于2V电压下在石墨烯-离子液体界面处有一个离子聚集;当高于2V时离子注入到石墨烯层的表面。完整发射率的变化和薄膜阻抗一致。然而在2V电压下完整的红外发射率也可以被调制。除此之外,注入过程是可逆的,伴有去夹层石墨烯样品和原始样品具有相似的I-V曲线。图2. 离子液体注入多层石墨烯薄层阻抗:(a)原位薄层阻抗测试系统 ...
烯层之间得弱范德华力使离子液体的阴离子/阳离子在电压偏置下插入层中.结果,石墨烯上的电荷密度显着增加,并且多层石墨烯的薄层电阻从低于2 V的11Ω/□急剧下降至高于3.5V的4Ω/□(图5b),这与拉曼测试结果一致.在2 V以下的电压下,离子积聚在石墨烯-离子液体界面,而2 V以上的离子则插入到表面石墨烯层上.但是,发射率也可以在2 V以下进行调制(图二c),这归因于在表面石墨烯样品处积累的离子的静电掺杂效应,从而导致较小的红外发射率变化. 此外插层过程是可逆的,脱嵌的石墨烯样品的I-V曲线与原始石墨烯样品的I-V曲线相似(图五c)。值得一提的是Nanobase拉曼光谱与Keithley 24 ...
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