SCMOS相机 光束分析仪 DMD 光纤束 合束激光器 共焦 拉曼光谱仪 锁相放大器 无掩膜光刻机 高光谱相机
您对搜索结果满意吗?
SDTR一种薄膜面内各向异性热导率的测量方法近年来,随着半导体行业的迅猛发展,半导体元件的体积急剧减小,对芯片或薄膜材料的热物性探究至关重要,这样给予针对超小尺寸的热物性探测技术提供了发展需求,而其中基于光学的热反射法的发展使得小尺寸(亚微米)样品的热导率测量变得容易。在频域热反射法FDTR测量中:锁相放大器的参考相位需要被精确计算以减小对相位滞后信号的影响。SDTR-(SpecialDomain ThermalReflection)空间热反射同样是基于激光泵浦-热反射的探测技术,可以针对小尺寸薄膜样品的面内热物性的测量方法。相比于其他激光泵浦探测方法(如:TDTR,FDTR)它的优势是可以测 ...
偏振光的入射面内,通常用来表征具有垂直磁各向异性的样品。纵向和横向克尔效应的样品磁化强度矢量都平行于样品表面,因此它们被用来表征具有面内磁各向异性的样品。同时,一般来讲,极向克尔效应的信号一般要比纵向克尔效应的信号大一个数量级,因此磁光克尔效应在表征垂直各向异性较强的样品时更有优势。对于面内各向异性较强的样品来说,由于横向的克尔效应的反射光的偏振面不发生变化,只有光强发生变化,所以常用纵向克尔效应来表征。在介绍完几种常见的磁光效应后,可以对磁光效应的物理机理进行一个整体的描述:一般认为磁光效应都是在宏观经典电磁学理论以及微观量子论的背景下来共同描述的。从宏观上看,磁光效应是由介电张量中的反对称 ...
;同时配备了面内及垂直两个方向的磁场,其中,面内磁场zui大值 0.8T,垂直磁场zui大值0.5T,且两个方向上的磁场可以同时施加;并且能够施加微秒、毫秒级别脉宽的幅值zui大为60mT的垂直于样品方向的磁场脉冲。如果您对磁学测量有兴趣,请访问上海宝马bm555线路的官方网页:/three-level-150.html更多详情请联系宝马bm555线路/欢迎直接联系宝马bm555线路关于宝马bm555线路:宝马bm555线路是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显 ...
振方向。c平面内和平面外磁化分量与k矢量方向的关系对比。反射光被同一个物镜收集,并通过一个可旋转的四分之一波片来补偿椭圆度,zui后进入汤姆逊偏振分光器。为了zui大限度地提高灵敏度,分离器设置在45◦的入射(未干扰)偏振。分路器提供两束正交偏振方向的光束(图1b),击中一对象限光电二极管。每一对相对的象限分别沿着样本的x轴和y轴的投影对齐。两束是相等的强度为未受干扰的45◦偏振的情况下,而任何样品诱导的偏振旋转导致相等但相反的强度(45◦是zui敏感的角度对小的偏振变化)。通过适当地组合八个光电二极管象限的输出,可以同时检测和分离三个正交的磁化分量,只要它们的采样几乎相等,这对于具有高数值孔 ...
对称性,由平面内磁化分量产生的克尔振幅相互抵消,因此在这种情况下,根据极性克尔效应的要求,给出了对平面外磁化的唯yi灵敏度。中心孔径光圈也为平面内域的Voigt和梯度显微镜提供了zui佳条件。偏离中心的孔径膜片(图1b)导致斜入射光束束,这是纵向和横向克尔灵敏度所必需的。这里的入射角色散范围之间的垂直和zui大角度,是由物镜的数值孔径的限制光圈的平面与物镜的后焦平面共轭,也称为物镜的衍射平面或瞳孔。通过使用内置的、可调焦的伯特兰透镜或用辅助望远镜代替目镜,可以在显微镜的所谓conconscopical图像中看到瞳孔。当分析仪,偏振器和补偿器交叉zui大消光时,衍射图像的特征是十字形消光区(图1 ...
机中实现。平面内任意方向的磁场可以由一个可旋转的电磁铁施加。样品被安装在邮票上,邮票被放置在分裂的极片之间,以使一个合理的样品位移。在这样的设置下,磁场可以达到十分之一特斯拉,在适当的极尖几何形状和近极距离下达到特斯拉状态。通过特殊设计的电磁铁也可以产生垂直的磁场(即平行于物镜)视频增强、宽视场磁光显微镜的完整实验装置示意图如图1所示。由于偏振器和分析仪的相对开度小,大部分光被丢弃,因此必须使用高光密度的光源。高压汞弧灯提供足够的亮度和颜色光谱,可以单色使用在黄绿色和蓝色范围通过合适的光谱过滤器。单色光的使用是深度选择性克尔显微镜的先决条件。水银灯的缺点是不稳定,寿命短。更稳定的是氙弧灯,它提 ...
占主导地位的面内磁化M进行成像,方法是将样品表面倾斜成相对于光子传播方向k的角度,从而获得沿k方向的M不消失分量由于二色性对比度是由磁化在光子传播方向上的投影给出的,因此可以通过以相对于光子束方向的倾斜角度照射样品来成像面外和面内磁化畴,见图4。目前,在XM-1显微镜下,样品可以倾斜至30◦从而降低对比度的两倍。通过比较不同角度下的域结构,M-TXM技术可以区分面内贡献和面外贡献。一个具体的例子是磁涡旋结构,它既有面内自旋结构,即手性,也有中心的面外自旋,即极性。M-TXM可以对两者进行成像,因此是研究磁涡流结构的物理特性,特别是其自旋动力学的有价值的工具。如果您对磁学测量有兴趣,请访问上海昊 ...
新型光自旋应用的二维材料由于相似的六方晶体结构,也可以在二维异质结构中进行逐层工程。这种工程方法可以通过结合相互补充的2D系统来利用。例如,在WSe2/Gr异质结构中,用于谷自旋操纵的大自旋-轨道耦合(WSe2)和用于电子器件的高电导(石墨烯)的配对对谷自旋动力学产生了新的影响。因此,逐层工程提出了一种很有前途的方法来构建具有增强控制和检测自旋现象的二维系统。这就促使人们寻找与传统半导体类似或更新颖的二维类似物,这些材料已经产生了大量的自旋电子研究。几种二维半导体具有适合低维自旋器件的特性,如高电子迁移率和可通过门控调节的载流子密度。例如,基于Gr的器件已经证明了长通道上的自旋输运和自旋进动, ...
的,它们通过面内镜面反射对称形成上下亚层。这两个亚层被相邻的金属原子紧紧地结合在一起,从而形成了一个屈曲的蜂窝晶格(图1a)。第1个布里渊带的描述如图1c所示,图中显示了距离原点等距离的三种不同类型的带中心状态。这些也可以用图1d中的近自由电子带结构和相应的对称群来说明。图1如图1中所示,(a)是含有金属和硫族原子的III-VI单硫族化合物的三维单晶胞图,(b)是同一单晶胞的二维单晶胞图。倒易点阵点和约简brilion区如图(c)所示。(d)显示了沿K-Γ-M的近自由电子带结构,并标记了Γ点群的不可约表示。图2.GaS (a)、GaSe (b)、GaTe (c)、InS (d)、InSe (e ...
来实现的,平面内圆偏振光源具有接近带隙能量分离的光子能量。这将在半导体中产生净非平衡自旋取向具有适当的自旋偏振光学跃迁的系统。当系统松弛时,会有一个优先的自旋方向,这将表现为PL中两个圆螺旋度(I+(−))之间的强度差。通过计算圆极化度,可以直接读出自旋极化,P = (I+−I−)/(I+ + I−)。描述半导体P的稳态速率方程为:式中P0为激发时圆偏振度。τr和τs分别为复合寿命和自旋寿命。这种极化可以在磁场中进一步研究。事实上,对于相对于样品施加的面外场,塞曼效应将分裂自旋水平。这导致读出偏振不平衡,即使是线偏振光,这一结果可用于研究磁场与材料中载流子自旋的耦合程度。注意,复合寿命与自旋寿 ...
许多仅限于平面内传感和驱动,这不允许在其完整的3D环境中探测矩阵。此外,很少有人注意到模型ECM系统特有的因素,这些因素可以深刻地影响其中包含的细胞。在这里,我们提出了利用磁微探针(μ rod)在与细胞相关的尺度上对细胞外基质网络进行时空探测和操作的方法。我们的技术利用3D磁场生成,物理建模和图像分析来检查和应用纤维胶原蛋白基质的机械刺激。我们确定了剪切模量范围在数百Pa到数十kPa之间,并模拟了接近刚性表面和局部纤维致密化的影响。我们分析了响应10 pNm量级的磁扭矩所产生的矩阵变形的空间范围和动力学,在跨越数十微米的区域内偏转纤维。zui后,我们演示了荧光标记μ杆的三维驱动和姿态提取。10 ...
(a)给出了面内电流GMR传感器的原理图,因为它曾在硬盘读磁头中使用过一段时间。由非磁性但导电的间隔层隔开的至少两个铁磁层(FM)堆叠的电导率可以在两个磁性层的磁化方向彼此更平行或更反平行的情况下发生显着变化。从技术上讲,其中一层通常被设计为硬磁层,它受通常的外部磁场的影响很小,而另一层被称为软磁层,它很容易对外加磁场的变化做出反应。这种效应的巨大尺寸使得我们可以检测到硬盘上的杂散磁场的微小变化,就像软磁层的磁排列中的微小偏差一样,这反过来又使磁盘制造商能够减少检测单个比特信息所需的磁盘上方杂散场的数量,并相应地减小其尺寸。这导致了磁性硬盘存储密度的年增长率的变化,在1997年之前,它以每年6 ...
形成的畴的平面内磁化。另一方面,顶端晶粒(远离衬底)的磁化方向是垂直的。晶界附近的面内磁化畴的形成会导致磁通量的循环,从而抑制静磁能。磁晶能量需要保持zui小值;因此,它倾向于使原子磁矩沿着晶体轴的一个容易的方向排列。因此,净磁化遵循一定的结晶轴,据说沿着它产生一个容易的磁化轴。铁磁体可以沿着晶体学方向不太困难地磁化。至少在晶体结构的铁磁体中是这样的。如果铁磁性材料由随机晶体取向的颗粒组成,一个简单的磁化轴仍然是可能的,然而,它将主要由材料加工决定,众所周知,它会改变磁畴结构,从而改变它们的磁化方向。被称为畴壁的过渡层通常有两种类型,尽管根据材料的晶体结构以及一些加工因素,其他的壁构型也是可能 ...
正比于封闭曲面内的净电荷量。方程2是自由空间磁场的高斯定理:通过封闭曲面的磁通量为零。方程3是自由空间的法拉第感应定理的数学表达式:随时间变化的磁场产生电场。方程4是自由空间的安培定理,指出随时间变化的电场产生磁场。这4个方程在时间变化的情况下是相互影响的,电场和磁场相互作用构成电磁波,电场和磁场是由电荷和电流产生的。洛伦兹定理指出,当电荷q在电磁场(E,B)中以一定的速度运动时,会受到力的作用,表达式如下:在电场和磁场的影响下物质的特性用物质方程来描述,物质方程在非色散、各向同性、连续介质的情况下,可表示为:式中,Jc为传导电流密度;Xe和Xm分别为电化率和磁化率;介电常数ε和磁导率μ分别描 ...
象,但来自平面内磁化的铁片。这种现象现在被称为纵向莫克尔效应(L-MOKE),其中入射面平行于磁化。图一法拉第和克尔的发现引起了人们对MO效应的浓厚兴趣。这些发现的一个主要的基本结果是,它们促使人们把光看作是一种电磁实体,这是以前没有人想到的。因此,MO效应在麦克斯韦的电磁学理论的发展中起了中心作用,而不是次要作用。法拉第效应的第1个应用是由法拉第自己提出的,他建议将其作为测量磁场强度的工具,因为它在磁场中似乎是线性的。后来在特殊制备的铁、钴和镍薄膜中对法拉第效应的测量表明,对这些铁磁性材料来说,线性依赖关系并不成立。在研究克尔效应时,里吉观察到反射光不仅显示出偏振面倾斜,而且还显示出偏振面倾 ...
斜入射下,对面内和面外磁化总是敏感的。图1自从引入数字图像处理以来,获得不含地形信息的纯域对比度的标准技术是从无域的背景图像中减去具有域信息的图像。这样的参考图像通常是通过使样品在外部磁场中饱和而获得的,需要在样品周围放置一些电磁铁。由于显微镜的物镜必须放置在离样品表面非常近的地方(高倍率透镜的距离在几百微米之间,低倍率物镜的距离在几毫米之间),施加的磁场可能会诱发寄生法拉第效应,这种效应叠加在由样品磁性引起的任何光旋转上[见图1(b)]。这种效应对于沿物镜轴施加的磁场是重要的,但是从样品中出现的不均匀的面内场或杂散场也可能在透镜中产生法拉第旋转这样的贡献可能会降低域图像的质量,导致对实验数据 ...
双远心全景克尔显微镜的优势这一限制可以通过使用完全分离、对称排列的照明和反射路径的倾斜显微镜装置来克服。通过这样的排列,可以获得接近zui优Kerr振幅的显著纵向域对比度。这种系统的另一个优点是光学偏振光元件可以布置在透镜和磁性样品之间。这消除了在透镜表面发生的去极化效应,以及上述的法拉第效应与磁场的应用。使用变焦镜头,可以实现可变视野。图1.(a)双远心全景克尔显微镜的光路(b)饱和后磁场变化的磁电传感器元件沿传感器长轴形成的磁畴。磁性样品的平行照明是由一个准直的大功率LED光源实现的。(a)指出了可旋转偏振器、补偿器和分析器的位置。光圈光圈位于前光学透镜组的焦平面上。共轭像面相对于光轴是倾 ...
距离。如果平面内磁化材料在斜入射光照射下,传播矢量沿磁化轴方向有分量,也会发现具有相同现象学的法拉第效应。与极性效应相比,这种纵向法拉第效应的强度降低了,因为只有k矢量的一个分量负责圆双折射和二色性。对于任意磁化方向,也有可能激发线性极化的本征模(如Voigt效应),这些本征模与圆形模混合,使得对所产生的现象学的直观理解变得复杂。平面偏振光的法拉第旋转确实进一步发生在各向同性介质中,如在存在磁场的玻璃中,由下式给出:旋转的量与传播方向上的磁感应分量Bz成正比,与穿过介质的长度l成正比,与材料参数V成正比,称为Verdet常数。在磁光显微镜和磁强计中,场致法拉第效应起寄生作用:显微镜中的光学元件 ...
便地测量样品面内的各向异性热导率或热扩散率,但SDTR需要选择合适的激光波长和金属温度传感层,以保证获得较高的热反射系数和测量准确性[2]。面内热导率测试系统 AU-TRSD103 基于“泵浦-探测”原理,结合了频域热反射、空间域热反射、稳态温升法、方脉冲热源法的优点,具有强大的热物性综合测试能力,能够测量从薄膜到块体材料的热导率、比热容和界面热阻。系统自动化程度高,操作简便,特别利于大批量快速测量。如果您对面内热导率测试系统 AU-TRSD103感兴趣,想了解更多信息,请访问上海宝马bm555线路官方网站:/details-2038.html相关文献 ...
动方向在入射面内的叫的p偏振光,垂直于人射面的叫s偏振光。(2)偏振态偏振态有线偏振、圆偏振和椭圆偏振。上面提到,光波可以分解为xy轴电场振动矢量。然而,当光通过某一样品时,其偏振态会改变,因为Ex和Ey分量会产生一个位相差,如下图所示,1.2 光束通过样品前后的位相变化图中的相位延迟角δ即为位相差,位相差不同时,偏振态不同。我们将所有的情况都考虑,可以得到下面这个公式:当位相差为0°或180°时可以获得线偏振光。当δ=90°,并且Ax=Ay时,表示圆偏振光。当位相差是上述以外的其他情况,偏振态的矢量方向是椭圆,这种偏振称为椭圆偏振。(3)双折射双折射有两个折射率,即在不同偏振方向光波传播速度 ...
显示更多
或 投递简历至: hr@auniontech.com